型号:NSB9435T1G | 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 | 制造商:ON Semiconductor |
封装:TO-261-4,TO-261AA | 描述:TRANS BRT PNP 30V BIP SOT223-4 |
详细参数
类别 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
---|---|
描述 | TRANS BRT PNP 30V BIP SOT223-4 |
系列 | - |
制造商 | ON Semiconductor |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
电流_集电极(Ic)111最大222 | 3A |
电压_集电极发射极击穿111最大222 | 30V |
电阻器_基极(R1)111欧222 | 10k |
电阻器_发射极(R2)111欧222 | - |
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE) | 125 @ 800mA,1V |
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222 | 550mV @ 300mA,3A |
电流_集电极截止111最大222 | - |
频率_转换 | 110MHz |
功率_最大 | 720mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商设备封装 | SOT-223 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
深圳市品优时代科技有限公司 | 唐0755-23612326 |
深圳信泰电子器材有限公司 | 廖先生0755-83242658 |
深圳市富乐亚科技有限公司 | 郑小姐0755-18503085056 |
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